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技術與研發

技術與研發

重大主題
技術與研發
政策
  • 擬定正確研發策略、有效整合廠部資源、發揮綜效
  • 保護研發成果,捍衛公司智慧財產權
承諾
  • 開發新產品,提供公司永續經營之基礎
  • 保護自身和尊重他人智慧財產權
責任單位
  • 研發部、新事業開發組
  • 智財管理組
投入資源
  • 投入研發經費、投資新設備、培育研發人才
  • 購買專利搜尋引擎、智財相關訓練課程
申訴機制
  • 檢舉專線及信箱
2022年目標
  • 內埋式線路載板細線路開發:L/S = 5/5 um AOI yield > 85%
  • 細凸塊間距開發:POC for 80um pitch w/via bump
  • 混合基板開發:薄膜RDL結合有機基板2/2um L/S
  • 5G相關技術導入量產比例:30%
  • 申請專利:100件
行動方案
  • 根據BP展開績效管理表、每週檢討進度、每月檢討研發成果
  • 每季檢討專利執行狀況
2022年實際績效
  • 內埋式線路載板細線路開發:L/S = 5/5 um AOI yield 86.5%,並與供應商合作展開Cu pillar與防焊薄化製程開發。
  • 細凸塊間距開發:針對POC for 80um pitch w/via bump,目前進行Via Bump 製作技術評估與選擇
  • 混合基板開發:完成薄膜RDL結合有機基板,線路解析達2/2um
  • 5G相關技術導入量產比例:完成30%導入量產
  • 申請專利:170件

為持續提升企業價值,欣興電子積極參考並參與制定國際產業之技術藍圖,以因應各種未來產品的需求,並透過「專利佈局」、「技術發展」及「技術合作」三大策略,積極投入環保與低成本製程,建立以技術創新、智權自主為核心的產業,以創新突破,開拓新商機。

創新突破

  • 建立技術與產品創新平台
  • 整合資源與團隊合作
  • 標竿學習策略夥伴
  • 精實系統流程與管理

開拓新商機

  • 洞悉產業發展先機
  • 掌握市場趨勢
  • 快速回應市場與客戶需求

提升企業價值

  • 永續綠色環保
  • 善盡企業責任

專利佈局策略

為鞏固欣興電子在市場上技術領先的地位,我們制定「創新技術保護、專利樹木建置、專利地圖整編」三大專利管理策略,進一步規劃未來專利佈局,提升公司的價值與競爭力,並積極研發異質整合(Heterogeneous Integration)相關技術,同時亦申請多國專利以保護公司技術資產。
欣興電子透過內部專利申請系統工具來保護研發成果,進一步掌握我們與客戶、供應商之間的研發成果,並持有專利,透過專利佈局提升價值及競爭力,在知識經濟的時代,穩固欣興電子於市場中的領導定位。

創新技術保護

  • 研發創意留存申請
  • 產學合作結晶共有
  • 企業合作專利持有

專利樹木建置

  • 先進技術開發佈署
  • 專利策略研討布局
  • 專利風險評估迴避

專利地圖整編

  • 專利強度分級管制
  • 專利資產定期審編
  • 開放授權效用擴張

近年專利申請及獲証統計

區域 項目 2019年 2020年 2021年 2022年
台灣 專利申請數量 34 48 62 56
專利獲証數量 32 34 57 61
美國 專利申請數量 39 41 50 55
專利獲証數量 21 31 33 38
中國大陸 專利申請數量 30 45 50 59
專利獲証數量 19 24 45 40
其他 專利申請數量 0 2 0 0
專利獲証數量 7 8 3 0

研發創新

欣興電子本著立足台灣、佈局全球的策略,將研發據點設於台灣桃園及新竹,包含新建的楊梅廠與改制的山鶯二廠,針對客戶需求之技術與未來三至五年之前瞻創新技術,致力投入發展不同的創新研發主軸,除引進先進設備及網羅產業優秀研發人才外,欣興電子也投入大量研發經費,目前台灣廠區每年投入研發經費為當年度營收1%,近年投入的研發經費逐年成長,以因應各種未來產品的需求,來創造技術的專利性、領先性、穩定性。並積極投入環保與高階製程,建立以技術創新、智權自主為核心的產業。

研發費用統計

年度 2019年 2020年 2021年 2022年
研發費用(億元) 6.48 9.79 11.06 15.84
佔比(%) 0.8 1.1 1.1 1.1
註1:為台灣廠區Carrier事業處、PCB事業處及新事業開發(New Business Development,NBD)等部門之研發費用。
註2:2022年因添購新設備以及研發組織擴編,而增加研發費用之投入,2022年研發費用較2021年提升。

技術發展

欣興電子因應未來重大的產業趨勢,持續投入研發能量,深耕高階產品技術平台,如5G高頻高速印刷電路板產品、超小間距LED模組開發、Cool PCB高導熱效能模組開發、NF(Nick -Free surface finished)新技術開發以及高階微顯盲孔電路板新技術開發。

現階段面對第5G行動通訊進入全球商用階段,欣興電子聚焦於包括智慧型手機/平板電腦高密度板(Smart Phone/NB HDI)產品,天線封裝基板高頻電路板、雷達板與陣列天線,光模塊的光電通訊板,以及包含各種伺服器交換機與路由器的高層數電路板(High Layer Count)高速電路板等四大研發領域。印刷電路板核心技術開發包括mSAP(L/S=18/22 µm)細線路製程、內埋式銅鑲嵌(Cu inlay)高散熱技術、同軸貫通孔(Coaxial via)低能量耗損技術、板厚5.4mm高縱橫比(32:1)機鑽及鍍銅技術。

欣興電子憑藉於印刷電路板/IC載板之大面板製造專業經驗,搭配固有之無核心板技術,平台創新多層膜佈線技術為基礎,整合半導體及面板產業之材料與設備業者組成研發聯盟,發展RDL first(Die last),超微細線路(2µm/2µm 線寬/線距)之面板級扇出型(Panel-level Fan-Out,PFO)先進封裝技術,以突破扇出型面板級封裝(Fan-Out Panel Level Package,FOPLP)之產業問題與技術挑戰,帶動整體產業鏈發展。另外因應未來高密度多功能晶片系統化之趨勢,欣興電子朝多晶片異質整合封裝技術平台開發,將來封裝尺寸也將由現行20mm x 20mm擴展至55mm x 55mm。

內埋線路載板(Embedded Trace Substrate,ETS)技術,在精載一廠重建規劃中導入新設備與藥水研究,強化上下料搬運方式與FM管控,提升L/S= 6/8μm良率至客戶認證水準。同時也與VIP客戶展開L/S=5/5μm平台先期開發,搭配多種乾膜與曝光機,以及表面處理藥水做測試,為下一個通訊世代奠定基礎。

項目 2022年與前一年度之技術創新
超微細線路之先進封裝技術 完成複合基板技術平台(RDL+HDI,RDL+BGA)及可靠度驗證,同時也完成多晶片異質整合封裝於複合機板上,裝尺寸由20mm x 20mm擴展至>55 mm x 55 mm,重佈線路層(Redistribution Layer,RDL)層數為5層,最小線寬可達2µm
內埋線路載板新技術開發 因應2 nm以下晶片節點,高密度封裝互連需求,與供應商合作開發在L/S 5/5 um平台加入Cu pillar與防焊薄化製程,於Bump pad上製作外露於防焊層高度約4~10 um的Cu Pillar
混合銅鑲嵌技術開發 銅塊厚度0.2~2mm,尺寸 < 6x15mm內埋技術開發

單一型式銅塊(Single-shape Cu Inlay)

內埋散熱塊(Embedded Heat Slug)

混和型銅塊(Hybrid Cu Inlay)

內埋線路載板細線路新技術開發(加入Cu Pillar與防焊薄化)

技術合作

欣興電子深知以價值鏈合作帶動產業邁向永續創新的重要性,除與國際大廠客戶合作開發新一世代高階IC載板,與客戶交流,同步了解客戶對技術及下世代產品的需求,掌握客戶未來產品的開發藍圖外,並強化國內產業跨領域合作、開創自主產業及設備產品、強化產學研之研發關係、促使並推動業界訂定新規格,持續以最佳品質與服務模式滿足客戶期望,帶領整體產業鏈不斷向前邁進,拓展更寬廣之價值。

強化我國產業之跨領域合作 AIoT與5G驅動多元產業應用,需要更高階的異質整合技術才能滿足性能需求,現在全球半導體業者都在加速發展於異質晶片整合製程。2025年將步入2nm 先進晶圓節點,基板互連間距將≦40µm,將需要更多系統單封裝(System-In-Package,SiP)、小晶片和異質整合封裝。欣興電子可為IC載板提供支援先進基板的異質整合平台,2021年導入多晶片異質整合封裝技術平台開發,封裝尺寸由20mm x 20mm,2022年後逐年擴展至55mm x 55mm。
開創我國自主產業及設備產品 2020年上半年新冠肺炎疫情影響,各國強制採取出入境管制對全球供應鏈造成強烈衝擊。另一方面,因應氣候變遷風險,世界各國淨零排放目標紛紛確立,已衍生而出資通訊大廠要求供應鏈配合100%使用綠能的國際再生能源倡議(RE100)。隨之而來的碳權與碳稅將會影響廠商設廠區位,供應商若沒有發展明確減碳策略,未來將被產業鏈逐漸淘汰。全球產業鏈將由過往的地理位置及貿易成本的連結,改由環境價值及國安成本的連結。
在半導體產業有許多大規模公司皆採用來自日韓以及歐美幾家大廠,欣興電子已與設備商(例如鍍銅線、蝕刻線)及材料廠商(例如5G基板、防焊材料商)合作加速研發,開發設備及材料相關的低碳技術,累積自主的研發創新量能,因應氣候變遷造成的市場風險,強化欣興電子產品的市場競爭力。
強化我國產學研之新研發關係 因應紅色供應鏈的崛起,以及材料、設備的在地化,公司採取與產學研三方共同開發的模式,加強投入開發新技術、新設備之計畫;如與學術機構共同開發雷射清潔新技術、AI檢測技術等,與設備商共同開發自對位Pick & Place新設備。另外我們與大學機電學院合作,共同開發新產品,由學校設計測試線路,公司製作與電性測試,將研發成果透過客戶的管道,進行新產品封測實際驗證,開創新的產品藍海。
促使業界訂定新規格 5G高速高頻應用之平台開發計畫、先進基板的異質整合IC載板平台與高階Micro-LED載板與光電模組、雷達天線模組,都是全新的計畫,業界尚未訂定出一套品質認證規格或測試的標準。欣興電子會根據客戶的開發時程,持續投入開發能量,以達到率先通過客戶認證之目標,成為業界這個技術平台的標竿,促使業界將此技術平台訂為業界的標準流程。2022年在雷達天線模組方面與客戶合作,並在台灣電路板產業國際展覽會(TPCA)展出。

研發合作計畫

合作內容 效益
與供應商合作 我們持續與世界級材料及設備供應商保持密切合作,並與國內設備商合作,引進高功能材料與尖端設備於新產品研發。尤其是現在5G高頻高速通訊,高頻低訊號損失的Low Df材料製程開發,更須要提早與材料供應商合作,取得技術領先。 全球供應鏈市場競爭激烈,欣興電子與供應商共同開發的成果,幫助欣興電子提前取得未來關鍵技術,保持業界的領先地位。同時有助於確保台灣相關產業在高度競爭趨勢下,能持續屹立不搖於各國自主化、集團化之產業鏈當中,進而取得關鍵位階。
與學術界合作 欣興電子透過產學合作的方式,提供一個強化我國產學研之新研發關係,我們長期以來與國內大學如台灣大學、清華大學、中央大學、元智大學等學校有長期合作計畫,總經費為2,295萬元。希望藉此能有效運用學術界的研究成果、活絡國內學研單位的研究能量、鼓勵跨領域的基礎科學研究,以縮短公司研發的學習曲線,同時也幫學校培育將來的科技菁英。
欣興電子也有加入德國IZM及美國喬治亞理工學院發起之系統封裝技術研發聯盟,進行數項新產品與新技術的共同開發。
結合學術理論及產業生產與開發實務的共同合作,可以迅速縮短理論與實務的差異程度,讓先進的學術研究成果有效的與產業技術領域無縫接軌。另外產學合作強調的是整體性合作規劃,範圍包含師資、設備交流、研究生的訓練、經費資助。在各學術單位的法規下自主經營研究環境,能使學術界取得合理的利潤,也吸引更優秀的學術團隊加入研發,形成良性循環。
與政府合作 爭取來自政府在研發上的稅務減免、設備之投資抵減及獎勵、業界科專補助,以及研發投資抵減。欣興電子根據政府的重點輔導項目,提出相對應的新技術開發計畫、申請業界科專補助。 政府資金挹注加速欣興電子技術發展,強化產品競爭力,如「Panel-level超微細線路Fan-out」技術導入多晶片異質整合封裝技術平台開發,擴大封裝尺寸,將應用在5G高頻高速通訊,提高電性性能。另一方面,政府透過此合作關係,可以實際掌握國內產業界的研發潛能與發展的困境,作為將來擬定科技發展政策的依據。
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