為持續提升企業價值，欣興電子積極參考並參與制定國際產業之技術藍圖，以因應各種未來產品的需求，並透過「專利佈局」、「技術發展」及「技術合作」三大策略，積極投入環保與低成本製程，建立以技術創新、智權自主為核心的產業，以創新突破，開拓新商機。
為鞏固欣興電子在市場上技術領先的地位，我們制定「創新技術保護、專利樹木建置、專利地圖整編」三大專利管理策略，進一步規劃未來專利佈局，提升公司的價值與競爭力，並積極研發異質整合相關技術，同時亦申請多國專利，以保護公司技術資產。欣興電子透過內部專利申請系統工具來保護研發成果，進一步掌握我們與客戶、供應商之間的研發成果，並持有專利，透過專利佈局提升價值及競爭力，在知識經濟的時代，穩固欣興電子於市場中的領導定位。
| 區域 | 項目 | 2020年 | 2021年 | 2022年 | 2023年 |
|---|---|---|---|---|---|
| 台灣 | 專利申請數量 | 50 | 67 | 58 | 48 |
| 專利獲證數量 | 36 | 59 | 61 | 60 | |
| 美國 | 專利申請數量 | 42 | 64 | 63 | 26 |
| 專利獲證數量 | 33 | 33 | 41 | 36 | |
| 中國大陸 | 專利申請數量 | 70 | 89 | 90 | 74 |
| 專利獲證數量 | 49 | 66 | 60 | 46 | |
| 其他 | 專利申請數量 | 0 | 1 | 0 | 0 |
| 專利獲證數量 | 1 | 0 | 1 | 0 |
為提升公司競爭力保障公司智慧財產權，我們訂定「專利獎勵辦法」，除頒發專利獲准獎金外，針對提案人員也訂有獎勵機制，鼓勵同仁研發創作，2023年提出專利發想之同仁共78位、獲准專利之同仁共115位；而除了提案及獲准獎勵外，尚有積分制度，依照提案、獲准件數累計積分，提供禮券及獎狀予總積分達標準且為前三名之同仁，鼓勵同仁積極研發並申請專利。
欣興電子本著立足台灣、佈局全球的策略，將研發據點設於台灣桃園及新竹，包含新建的楊梅廠，與改制的山鶯二廠，及預計於2026年開始量產的光復廠，針對客戶需求之技術與未來三至五年之前瞻創新技術，致力投入發展不同的創新研發主軸，除引進先進設備及網羅產業優秀研發人才外，近年因應各種未來產品的需求，來創造技術的專利性、領先性、穩定性，並積極投入環保與高階製程，建立以技術創新、智權自主為核心的產業。但因受疫情、國際衝突、高通膨、高庫存等負面因素影響造成當年度營收下滑，以致於影響到2023年研發費用的配置。在不影響技術突破的近程下，將研發費用做適度的調整，僅對高技術及長週期設備優先導入，以維持業界技術領先，後續視景氣及研發需求再依實際狀況調整研發費用佔營收的比率。
| 年度 | 2020年 | 2021年 | 2022年 | 2023年 |
|---|---|---|---|---|
| 研發費用（億元） | 39.38 | 47.16 | 58.87 | 49.23 |
| 營業收入（億元） | 878.93 | 1,045.63 | 1,404.89 | 1,040.36 |
| 佔比（%） | 4.5% | 4.5% | 4.2% | 4.7% |
註：同年報合併資訊。
欣興電子因應未來重大的產業趨勢，持續投入研發能量，深耕高階產品技術平台，如5G高頻高速印刷電路板產品、超小間距LED模組開發、Cool PCB高導熱效能模組開發、NF（Nick -Free surface finished）新技術開發以及高階微盲孔電路板新技術開發。
現階段面對第5G行動通訊進入全球商用階段，欣興電子聚焦於包括智慧型手機／平板電腦高密度板（Smart Phone／NB HDI）產品，天線封裝基板高頻電路板、雷達板與陣列天線、光模塊的光電通訊板，及包含各種伺服器交換機與路由器的高層數電路板高速電路板等四大研發領域。印刷電路板核心技術開發包含mSAP（L／S=18／22 µm）細線路製程、內埋式銅鑲嵌高散熱技術、同軸貫通孔低能量耗損技術、板厚6mm高縱橫比（40：1）機鑽及鍍銅技術。
欣興電子憑藉於印刷電路板／IC載板之大面板製造專業經驗，搭配固有之無核心板技術，平台創新多層膜佈線技術為基礎，整合半導體及面板產業之材料與設備業者組成研發聯盟，發展RDL first，超微細線路（2µm／2µm 線寬／線距）之面板級扇出型先進封裝技術，以突破扇出型面板級封裝之產業問題與技術挑戰，帶動整體產業鏈發展。另，因應未來高密度多功能晶片系統化之趨勢，欣興電子朝多晶片異質整合封裝技術平台開發，未來封裝尺寸也將由現行20mm x 20mm擴展至55mm x 55mm~77 mm x 77 mm。
內埋線路載板之技術於精密載板事業部一廠重建規劃中，導入新設備與藥水研究，強化上下料搬運方式與FM管控，提升L／S= 6／8μm良率至客戶認證水準，並於2023年第三季開始試量產。同時也與VIP客戶展開L／S=5／5μm 載板絶緣材料／半固化黏合膠片複合載板平台先期開發，搭配多種乾膜與曝光機，低粗糙度表面處理藥水做開發，為下一個通訊世代奠定基礎。
| 項目 | 2023年與前一年度之技術創新 |
|---|---|
| 高速應用RDL 中介層複合載板 | 完成多晶片異質整合封裝，尺寸由20 mm x 20 mm擴展至55 mm x 55 mm~77mm x 77mm，重佈線路層層數為5層，微盲孔孔徑（20 um->15 um），L／S可達2／2 um |
| 內埋線路載板 新技術開發 | 因應客戶2 nm以下晶片節點，高密度晶片與晶片封裝互連需求。L／S 5／5 um平台，除持續與供應商合作開發銅柱與防焊薄化製程，今年再導入ABF／PP複合疊構與低粗糙度前處理藥水，以縮小盲孔孔徑（50->35 um），並提高細線路線寬線距穩定性 |
| 混合銅鑲嵌技術開發 | 銅塊厚度0.2~2mm，尺寸<6x15mm 並擴展至18x18mm內埋技術開發 |
| RCC 材料 導入光膜產品 | 以無玻纖介電材料取代一般傳統PP材，可有效改善高速產品的傳輸時延。且因RCC無玻纖特性可更有利於雷射加工，進而縮小孔徑增加更多的佈線面積 |
| 二極體內埋技術 與散熱片製程開發 | 完成首次內埋二極體晶片鋁表面與增層材料和電鍍銅之間的流程開發。透過回流焊測試15次與Thermal Shock Test 2000週期循環的可靠度驗証電阻率<10%。利用客戶提供測試用晶片已完成原型機種送客戶端做結構分析 |
| Board thickness | 1.0 mm | 1.0 mm | 1.0 mm | 2.0 mm |
|---|---|---|---|---|
| Top view |  |  |  |  |
| Side view |  |  |  |  |
欣興電子深知以價值鏈合作帶動產業邁向永續創新的重要性，除與國際大廠客戶合作開發新一世代高階IC載板，與客戶交流，同步了解客戶對技術及下世代產品的需求，掌握客戶未來產品的開發藍圖外，並強化國內產業跨領域合作、開創自主產業及設備產品、強化產學研之研發關係、促使並推動業界訂定新規格，持續以最佳品質與服務模式滿足客戶期望，帶領整體產業鏈不斷向前邁進，拓展更寬廣之價值。
欣興電子持續投入各項與供應商、學術單位及政府單位協力之研發合作計畫，以確保產品居於世界領先地位。
| 2023年合作內容 | 2023年效益 | |
|---|---|---|
| 與供應商合作 | 我們持續與世界級材料及設備供應商保持密切合作，並與國內設備商合作，引進高功能材料與尖端設備於新產品研發。尤其是現在5G高頻高速通訊，高頻低訊號損失的Low Df材料製程開發，更須要提早與材料供應商合作，取得技術領先。 | 全球供應鏈市場競爭激烈，欣興電子與供應商共同開發的成果，幫助欣興電子提前取得未來關鍵技術，保持業界的領先地位。同時有助於確保台灣相關產業在高度競爭趨勢下，能持續屹立不搖於各國自主化、集團化之產業鏈當中，進而取得關鍵位階。 |
| 與學術界合作 | 欣興電子透過產學合作的方式，提供一個強化我國產學研之新研發關係，我們長期以來與國內大學如台灣大學、清華大學、中央大學、元智大學等學校有長期合作計畫，2023年總經費為1,755萬元。 希望藉此能有效運用學術界的研究成果、活絡國內學研單位的研究能量、鼓勵跨領域的基礎科學研究，以縮短公司研發的學習曲線，同時也幫學校培育將來的科技菁英。欣興電子也有加入德國IZM及美國喬治亞理工學院發起之系統封裝技術研發聯盟，進行數項新產品與新技術的共同開發。 | 結合學術理論及產業生產與開發實務的共同合作，可以迅速縮短理論與實務的差異程度，讓先進的學術研究成果有效的與產業技術領域無縫接軌。另外產學合作強調的是整體性合作規劃，範圍包含師資、設備交流、研究生的訓練、經費資助。在各學術單位的法規下自主經營研究環境，能使學術界取得合理的利潤，也吸引更優秀的學術團隊加入研發，形成良性循環。 |
| 與政府合作 | 爭取來自政府在研發上的稅務減免、設備之投資抵減及獎勵、業界科專補助，以及研發投資抵減。欣興電子根據政府的重點輔導項目，提出相對應的新技術開發計畫、申請業界科專補助。 | 政府資金挹注加速欣興電子技術發展，強化產品競爭力，如「Panel-level超微細線路Fan-out」技術導入多晶片異質整合封裝技術平台開發，擴大封裝尺寸，將應用在5G高頻高速通訊，提高電性性能。另一方面，政府透過此合作關係，可以實際掌握國內產業界的研發潛能與發展的困境，作為將來擬定科技發展政策的依據。 |