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Carrier 技術研發藍圖

Thin Carrier Substrate Roadmap
2007
Q1 Q2 Q3 Q4
2008
Q1 Q2 Q3 Q4
2009
Q1 Q2 Q3 Q4
技術能力 (Capability)
技術方法(Methodology) 半加成法(SAP) 半加成法(SAP) 半加成法(SAP)
黏結手指跨距(Pitch) 100 um 90 um 80 um
線路跨距(Trace Pitch) 50 um 40 um 30 um
錫球跨距(Ball Pitch) 0.4 mm 0.3 mm
結構 (Construction)
特性 (Feature) HDI/Coreless Coreless Coreless
雙層CSP板厚 0.10 um 0.09 um 0.08 um
四層CSP板厚 0.21 um 0.18 um 0.16 um
材料 (Material)
特性 (Feature) Green, Low CTE Fine Pitch Material, High Stiffness, Profile Free
基板材料 BT-NXA, E678FGB, 4785GS HL-992
防焊材料 AUS-303,308,703 AUS-410,706
FCBGA Substrate Roadmap
2007
Q1 Q2 Q3 Q4
2008
Q1 Q2 Q3 Q4
2009
Q1 Q2 Q3 Q4
技術能力 (Capability)
線路跨距(Trace Pitch) 36 um 30 um 20 um
錫球跨距(Ball Pitch) 0.8mm 0.65 mm
覆晶錫球跨距(Bump Pitch) 150 um 130 um 120 um
盲孔墊(u-Via Pad) 90 um 80 um
結構 (Construction)
疊/結構 (層) 3+4+3 4+4+4 5+4+5
內層基板厚度(Core Thk.) 0.8/0.4mm 0.4/0.2mm 0.2mm
尺寸(Body Size) ~ 45 x 45 mm > 50 x 50 mm
材料 (Material)
特性 (Feature) ABF,Low CTE/Low Dk Material